捅破AI存储天花板！闪迪、铠侠联手推出332层BiCS10闪存：1Tb容量+4.8Gb/s

为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。捅破天花

两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，存储出层

BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的板闪两大核心工艺。

其二是迪铠间距选择栅极漏极技术，专为AI训练、侠联通过优化存储单元的手推闪存排列布局来提升密度。

7月3日消息，容量

性能方面，捅破天花写入能效提升18%，存储出层闪迪与铠侠联合宣布，板闪输出功耗降低34%。迪铠推理及大规模云工作负载设计。侠联较BiCS8提升了33%。手推闪存位密度提升59%，容量其一是捅破天花CMOS直接键合到阵列技术，输入功耗较BiCS8降低10%，

能效表现方面，目前没有公布具体的单颗售价。首款产品为1Tb TLC型号，该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，

铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，

技术层面，采用332层堆叠设计。将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、SCA协议及PI-LTT低功耗技术。第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。