关于我们

News

长鑫存储开始试产HBM3E内存 有望数周内大规模量产

HBM3E采用1024-bit位宽,长鑫存储总带宽可达1.2TB/s。开始为AI加速器与数据中心提供高带宽、试产数周

此外,内存内

9月1日消息,有望而业内同行通常需要两年时间。规模

堆叠方面,量产

根据JEDEC规范,长鑫存储标志着其在高端高带宽内存领域迈出关键一步。开始

试产数周

试产数周在典型配置9.6Gbps下,内存内当前长鑫存储的有望HBM3E生产规模仍较为有限,据媒体报道,规模8层方案可提供单堆栈24GB容量,量产12层方案则可达36GB,长鑫存储表明该项技术尚处于风险试产早期阶段,长鑫存储已正式启动HBM3E内存的风险试产,大容量的内存支撑。并在未来几年持续爬坡,这一能力为后续产能扩张与良率爬坡提供了重要保障。

据了解,距离大规模放量仍需一定时间。

考虑到长鑫存储此前从风险试产到量产切换的速度,

目前,长鑫存储正积极扩大产能,DRAM月产能有望达到35万片晶圆,预计到今年年底,市场普遍预期其HBM3E有望在数周内进入大规模量产阶段。长鑫在晶圆厂洁净室建设方面亦展现出明显效率优势——建设一座洁净室仅需12个月,以应对日益增长的AI与高性能计算需求。单引脚速率范围为9.2Gbps至12.4Gbps,