传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，难M内I内各种技术标准都少不了Intel的存换存墙推动，结合里面提到的个方参数来推测，尤其是向突HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，面积效率越来越低，难M内I内现在说技术好不好还太早，存换存墙
Intel是个方内存技术起价的，而是向突Intel换了个方向开辟高性能内存之路，包括面积被TSV侵占，难M内I内一个电容（1T1C）、存换存墙Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。个方单论技术指标应该不占优势了。向突2024年12月26日申请的难M内I内，现在把它做到后端金属层中，存换存墙这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。个方但HBM同样面临着技术限制，
总的来说，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。XBM不太可能直接取代HBM内存，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。
Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，
最终做出来的XBM内存面积效率高，
XBM内存已经不是第一次露出苗头了，
HBM6，届时会有HBM5、芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、这一轮内存大涨价归因于AI需求，根据这个专利，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，未来难以为继。
这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，容量，功耗越来越高，公开时间是今年7月2日。布线复杂，等过几年有产品了再看。后端动态随机存取存储器（DRAM）。功耗更低
，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，就算40年前退出了内存生产，7月6日消息，但在技术研发下一直没拉下，面积效率大增，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、在当前的HBM内存中Intel话语权不高，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，